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J. Phys. Colloques
Volume 35, Number C3, Avril 1974
Colloque sur les propriétés optiques des semiconducteurs à grande bande interdite
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Page(s) | C3-223 - C3-231 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1974332 |
J. Phys. Colloques 35 (1974) C3-223-C3-231
DOI: 10.1051/jphyscol:1974332
A REVIEW OF GRADUAL DEGRADATION PHENOMENA IN ELECTROLUMINESCENT DIODES
H. KRESSEL and H. F. LOCKWOODRCA Laboratories Princeton, New Jersey 08540, USA
Résumé
Nous examinons les principaux phénomènes responsables de la dégradation progressive du rendement des diodes électroluminescentes (tant en régime stimulé que spontané). La dégradation est principalement associée à une augmentation de la densité des centres non radiatifs au voisinage de la jonction p-n. Des centres isolés et des associations de centres se forment (ces derniers contribuent aussi aux pertes par absorption). La dégradation dépend fortement de facteurs métallurgiques tels que dislocations, contraintes et impuretés. En dehors des facteurs métallurgiques, il n'existe pas d'autres limitations évidentes de la durée de vie des diodes. Des durées de vie de plusieurs milliers d'heures ont été obtenues avec les diodes fabriquées par les méthodes classiques.
Abstract
The major physical phenomena associated with the gradual degradation of electroluminescent diode efficiency (both in the stimulated and spontaneous emission modes) are reviewed. The degradation is mainly associated with an increase in the density of nonradiative centers in the vicinity of the p-n junction. Both isolated and clustered centers (which contribute to increased absorption) are formed and the process of degradation is strongly dependent on metallurgical factors such as dislocations, mechanical stresses and contaminants. No evidence exists of inherent limitations on the diode life apart from metallurgical factors. Many thousands of hours of useful operating life have been obtained from devices fabricated with state-of-the-art technology.