LASER A SEMICONDUCTEUR A HÉTÉROSTRUCTURE

Résumé
Le laser semiconducteur homostructure, limité presque exclusivement au composé III-V GaAs, a fait son apparition il y a une douzaine d'années. Ses performances sont intéressantes à basse température, mais le fonctionnement près de l'ambiante est limité à cause de la forte augmentation du courant de seuil à la stimulation avec la température. Le laser semiconducteur à hétérostructure, qui conduit à un confinement non seulement des porteurs de charge injectés, mais également du flux de photons stimulés, a permis d'abaisser les densités de courant de seuil à la température ambiante d'un facteur 40 par rapport au laser homostructure. De ce fait, le fonctionnement en continu à la température ambiante devient possible. Nous nous proposons de présenter les travaux effectués au LCR THOMSON-CSF sur ce sujet. Plus particulièrement, les problèmes reliés à la réalisation de dépôts épitaxiques multiples seront évoqués, les performances actuelles et les utilisations futures du laser à hétérostructure seront présentées

Abstract
The homostructure semiconductor injection laser, almost exclusively limited to the III-V coumpound GaAs, appeared twelve years ago. His characteristics are interesting at low temperature, but operation near ambiant is limited because the steep rise in threshold current for stimulation with temperature. The semiconductor heterostructure injection laser that leads to a confinement of both injected charge carriers and stimulated photon flux, allowed to decrease the threshold current density at room temperature by a factor of 40, and thus continuous operation was possible. We present some work done at LCR THOMSON-CSF on this subject. Problems related to the growth of multiple epitaxial layers will be raised, then present characteristics and future applications of heterostructure injection lasers will be described.