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J. Phys. Colloques
Volume 35, Number C3, Avril 1974
Colloque sur les propriétés optiques des semiconducteurs à grande bande interdite
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Page(s) | C3-127 - C3-143 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1974319 |
J. Phys. Colloques 35 (1974) C3-127-C3-143
DOI: 10.1051/jphyscol:1974319
SPECTROSCOPIE DE DÉFAUTS - LUMINESCENCE I
THE ANALYSIS OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTORS BY OPTICAL SPECTROSCOPY
P. J. DEAN Royal Radar Establishment, Malvern, Worcs, England
Résumé
A la suite d'une brève récapitulation des nombreuses techniques optiques significatives et de leurs avantages pour l'analyse des impuretés, le texte principal met l'accent sur la spectroscopie d'absorption et de luminescence. L'auteur examine les conditions requises pour la meilleure exploitation possible de la méthode. L'analyse à basse température utilisant les cristaux semiconducteurs assez bien purifiés nécessités par beaucoup de dispositifs électroniques modernes. L'analyse courante peut être rapide et non destructrice et particulièrement appropriée à la détection et la reconnaissance (luminescence) ou à l'évaluation quantitative (absorption) de certains types d'impuretés, souvent celles qui sont les plus intéressantes dans les dispositifs électriques et optiques. Des exemples sont donnés, surtout pour GaP et GaAs, des nombreuses techniques possibles pour relier les caractéristiques importantes des spectres optiques aux différents types d'impuretés donneurs, accepteurs et pièges isoélectroniques, et de leur extension à l'identification d'espèces chimiques.
Abstract
Following a brief summary of the wide variety of relevant optical techniques and their advantages in impurity analysis, the main text emphasises absorption and luminescence spectroscopy. Attention is given to the conditions required for greatest exploitation of the method, analysis at low temperatures using the relatively refined semiconducting crystals needed in many current electronic devices. Routine analyses can be swift and non-destructive, particularly suited to the detection and recognition (luminescence) or the quantitative estimation (absorption) of certain types of impurity, often just the ones of greatest general interest in electrical and optical devices. Examples are given, mainly in GaP and GaAs, of the variety of techniques available to link key features in the optical spectra with the different classes of impurity, donors, acceptors and isoelectronic traps, and their extension to the identification of chemical species.