| Issue |
J. Phys. Colloques
Volume 35, Number C3, Avril 1974
Colloque sur les propriétés optiques des semiconducteurs à grande bande interdite
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C3-77 - C3-82 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1974312 | |
J. Phys. Colloques 35 (1974) C3-77-C3-82
DOI: 10.1051/jphyscol:1974312
STRUCTURE DE BANDES DES ALLIAGES GaxIn1-xP
A. LAUGIER1, C. ALIBERT2 and J. CHEVALLIER31 Laboratoire de Physique de la Matière, 20, avenue A.-Einstein, 69621 Villeurbanne, France
2 Laboratoire de Physique des Solides, place E.-Bataillon, 34060 Montpellier, France
3 Laboratoire de Physique des Solides 1, place A.-Briand, CNRS, 92190 Bellevue, France
Résumé
Les alliages GaxIn1-xP sont étudiés à 300 K par électroréflexion. La variation parabolique de E0 et E1 avec x est précisée, les paramètres de courbure étant respectivement 0,49 eV et 0,86 eV. On étudie la variation de E0 en fonction de la température entre 8 K et 300 K par piézoréflexion. On trouve une variation linéaire entre 100 et 300 K. Le coefficient de température est (- 4,4 ± 0,4) eV/K. Aux incertitudes près, il est le même quel que soit x. A basse température, le paramètre de courbure de E0(x) vaut 0,42 eV. La bande interdite indirecte Xc6 - Ɖv8 est obtenue dans la même gamme de température par électrotransmission. Les paramètres du point de croisement des minima Ɖ-X de la bande de conduction sont pour T inférieur à 10 K, xc = 0,69 ± 0,015, Ee = 2,33 ± 0,01 eV. A T = 300 K les valeurs xc = 0,63 ± 0,015, Ee = 2,14 ± 0,01 eV sont confirmées. L'interprétation des spectres de luminescence dans le cas des dopages N et S est discutée. En particulier l'accroissement résonnant de la transition due à N se produit pour x = 0,65 et non 0,71.
Abstract
The electroreflectance spectra of GaxIn1-xP alloys were measured at room temperature. The variation of E0, E1 energies with concentration is parabolic. The bowing parameters are respectively 0.49 eV and 0.86 eV. The temperature dependence of E0 is studied by piezoreflectance from 8 to 300 K. It is linear from 100 K to 300 K with a coefficient ß = (- 4.4 ± 0.4) 10-4 eV/K for all compositions. At low temperature the bowing parameter for E0(x) is 0.42 eV. In the same temperature range the Xc6 - Ɖv8 indirect gap is measured by electrotransmission and the composition and the energy of the Ɖ-X cross-over obtained with accuracy : for T < 10 K, xc = 0.69 ± 0.015, Ec = 2.33 ± 0.01 eV. At room temperature the values xc = 0.63 ± 0.015, Ec = 2.14 ± 0.01 eV are confirmed. The interpretations of luminescence spectra of S and N doped materials are discussed. The resonant N-trap state can exist above the fundamental conduction band edge for x < 0.65 and not for x < 0.71 as recently published.