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J. Phys. Colloques
Volume 35, Number C3, Avril 1974
Colloque sur les propriétés optiques des semiconducteurs à grande bande interdite
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| Page(s) | C3-21 - C3-25 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1974304 | |
J. Phys. Colloques 35 (1974) C3-21-C3-25
DOI: 10.1051/jphyscol:1974304
RECOMBINAISON DÉPENDANT DU SPIN ET POMPAGE OPTIQUE DANS LES SEMICONDUCTEURS
C. WEISBUCHLaboratoire de Physique de la Matière Condensée Ecole Polytechnique, 17, rue Descartes, 75005 Paris, France
Résumé
On observe une recombinaison dépendant du spin dans Ga0,6Al0,4As à 77 K sur l'intensité de la raie de photoluminescence des paires donneur-accepteur. Le temps de vie augmente de 2,3 quand les électrons photoexcités et les centres de recombinaison ont leurs spins orientés par pompage optique en lumière polarisée circulairement. L'orientation optique et la recombinaison dépendant du spin conduisent à une polarisation électronique de spin égale à 70 % en régime permanent.
Abstract
Spin dependent recombination is observed in Ga0.6Al0.4As at 77 K on the intensity of the donor-acceptor pairs photoluminescence. The lifetime is enhanced by a factor 2.3 when photocreated electrons and recombination centers are spin polarized by optical pumping with circularly polarized light. Optical orientation and spin dependent recombination lead to a steady-state electronic spin polarization as large as 70 %.