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J. Phys. Colloques
Volume 34, Number C9, Novembre 1973
Défauts de réseau dans les cristaux ioniques / Lattice defects in ionic crystals
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| Page(s) | C9-227 - C9-241 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973941 | |
J. Phys. Colloques 34 (1973) C9-227-C9-241
DOI: 10.1051/jphyscol:1973941
TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY OF DEFECTS IN ALKALI HALIDES
L. W. HOBBS1, 21 Department of Metallurgy, University of Oxford
2 Materials Development Division, AERE Harwell, England
Résumé
Cet article examine les difficultés rencontrées en microscopie électronique sur lames minces d'halogénures alcalins et montre comment chacune peut être surmontée. Les mesures incluent une préparation soignée des feuilles minces et examen à la température de l'hélium liquide. En particulier, la microscopie à basse température retarde l'influence des défauts d'irradiation dus au faisceau du microscope. Un rapport de l'application de ces techniques à l'étude des agrégations de défauts d'irradiation et du comportement des dislocations dans des cristaux déformés et irradiés est présenté.
Abstract
This paper considers the difficulties encountered in conventional thin-foi1 electron microscopy of alkali halides and demonstrates how each can - within certain limits - be successfully overcome. The measures required include careful thin-foi1 specimen preparation and examination at liquid helium temperature. In particular, low temperature microscopy is shown to significantly retard the onset of observable radiation damage effects induced by the investigating electron beam. A brief account of the application of these techniques to studies of irradiation defect aggregations and dislocation behaviour in irradiated and deformed alkali halide crystals is presented.