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J. Phys. Colloques
Volume 34, Number C6, Novembre 1973
CONGRÈS DU CENTENAIRE DE LA SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE PHYSIQUEPROPRIÉTÉS PHOTOÉMISSIVES DES SOLIDES |
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| Page(s) | C6-85 - C6-85 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973622 | |
CONGRÈS DU CENTENAIRE DE LA SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE PHYSIQUE
PROPRIÉTÉS PHOTOÉMISSIVES DES SOLIDES
J. Phys. Colloques 34 (1973) C6-85-C6-85
DOI: 10.1051/jphyscol:1973622
1 Laboratoire de Physique des Solides, Université Paris VI.
2 IBM Research Laboratory, San-Jose, California 95193, USA.
PROPRIÉTÉS PHOTOÉMISSIVES DES SOLIDES
J. Phys. Colloques 34 (1973) C6-85-C6-85
DOI: 10.1051/jphyscol:1973622
CALCUL DE LA STRUCTURE DE BANDES DU Si, Ge ET GaAs A PARTIR DE RÉSULTATS RÉCENTS DE PHOTOÉMISSION DANS L'ULTRAVIOLET LOINTAIN
C. CHEKROUN1, F. HERMAN2 and I. OTENBURGER21 Laboratoire de Physique des Solides, Université Paris VI.
2 IBM Research Laboratory, San-Jose, California 95193, USA.
Résumé
Utilisant une méthode de pseudopotentiel (EPM) dans laquelle nous considérons la dépendance en énergie des facteurs de forme, nous avons recalculé la structure de bandes, la densité d'état du silicium, germanium, gallium arsénide et comparé celles-ci avec des résultats récents de photoémission. Il semble alors que la variation en énergie des facteurs de forme soit non négligeable dans le cas du germanium et du silicium, fondamental dans le cas de semi-conducteurs hétéropolaires tels que le gallium arsénide.