ACOUSTOELECTRIC EFFECT IN PIEZODIELECTRIC-SEMICONDUCTOR LAYERED STRUCTURES

Résumé
Observation d'effets acousto-électriques (transversal et longitudinal) dans un film de structure en couches de LiNbO₃-Si et une de structure monolithique stratifiée de LiNbO₃-CdSe déposée directement sur la plaque de LiNbO₃. Ces effets sont dus à la pénétration dans la couche semi-conductrice des champs électriques de l'onde acoustique de surface qui se propage le long de la plaque de LiNbO₃. L'effet transversal s'est révélé pair (il ne change pas de signe si l'on inverse la direction de propagation des ondes acoustiques de surface. L'effet longitudinal est impair. On a étudié l'effet transversal au moyen d'une sonde de capacité, placée sur une face de la plaque mince de LiNbO₃, les ondes de surface propageant sur l'autre face, adjacente au semi-conducteur. On donne les résultats expérimentaux de l'étude des effets acousto-électriques en fonction de l'intensité acoustique et de la conductibilité du semi-conducteur. On compare ces résultats avec la théorie des effets acousto-électriques dans les structures en couches.

Abstract
In this paper we report on the observation of acoustoelectric effects (transversal and longitudinal) in layered structure LiNbO₃-Si and monolithic layered structure LiNbO₃-CdSe film deposited directly on the LiNbO₃ plate. These effects arise due to the penetration into the semiconductor plate (film) of the electric fields of the surface acoustic wave propagating along the LiNbO₃ plate. The transversal effect was revealed to be even (i. e. did not change its sign with the reverse of the direction of surface acoustic waves propagation). The longitudinal effect was revealed to be odd. The transversal effect was investigated by means of capacity probe, situated on one side of LiNbO₃ thin plate with surface acoustic waves propagating along the opposite side adjacent to the semiconductor. Experimental results on the investigation of the acoustoelectric effects as a function of acoustic intensity and conductivity of the semiconductor are given. Some comparisons of these results with the theory of acoustoelectric effect in layered structures are carried out.