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J. Phys. Colloques
Volume 33, Number C2, Avril 1972
2e CONGRÈS EUROPÉEN DE FERROÉLECTRICITÉ
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Page(s) | C2-227 - C2-228 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1972278 |
J. Phys. Colloques 33 (1972) C2-227-C2-228
DOI: 10.1051/jphyscol:1972278
PIEZORESISTIVITY OF THIN SEMICONDUCTING FILMS
G. WECK and V. ZIEBERTInstitut fuer Experimentalphysik II D-66 Saarbruecken, Universitaetscampus 4 (W-Germany)
Résumé
Nous avons mesuré l'effet piézorésistif sur de minces films semi-conducteurs de Te, CdSe et PbTe. Nous interprétons les résultats comme étant causés par une diffraction mixte des porteurs due aux phonons acoustiques et aux imperfections chargées et neutres. Nous avons étudié les effets du recuit et de la pression atmosphérique et nous comparons la valeur des effets piézorésistifs aux mesures antérieures faites sur des céramiques de BaTiO3.
Abstract
The piezoresistivity effect of thin semiconducting films of Te, CdSe and PbTe is measured. The results are interpreted as being caused by a mixed scattering of the carriers by acoustic phonons and by charged and neutral imperfections. The effects of annealing and subjecting to atmospheric pressure are investigated, and the magnitude of the piezoresistivity effects is compared with earlier measurements on BaTiO3-ceramic.