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J. Phys. Colloques
Volume 29, Number C2, Février-Mars 1968
COLLOQUE SUR LES PROPRIÉTÉS ÉLECTRONIQUES DES COUCHES MINCES
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| Page(s) | C2-65 - C2-68 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1968210 | |
J. Phys. Colloques 29 (1968) C2-65-C2-68
DOI: 10.1051/jphyscol:1968210
MAGNÉTORÉSISTANCE DANS UNE COUCHE ÉLECTRONIQUE D'INVERSION SUR UNE SURFACE (100) D'UN CRISTAL DE SILICIUM A 77°K
R. POIRIERC. S. F. - Compagnie générale de télégraphie sans fil. Centre de Recherches Physico-chimiques, Puteaux
Résumé
On montre qu'il est possible, grâce aux progrès des techniques d'oxydation du silicium, d'étudier indépendamment ses propriétés de surface et de volume. Lorsque l'induction magnétique B se trouve dans le plan de la couche d'inversion créée par l'application d'une tension positive sur la couche diélectrique deux types de magnétorésistance apparaissent, proportionnelles respectivement à B et B2.
Abstract
It is shown that, due to progress in oxidation techniques of silicon, it is possible to study independently its surface and volume properties. When the magnetic induction B is in the plane of the inversion layer created by application of a positive potentail on the dielectric layer, two types of magnetoresistance are observed, respectively proportional to B and B2.