DIFFUSION RAMAN DE LA LUMIÈRE PAR LES PHONONS DES CRISTAUX DOPÉS

Résumé
On montre l'intérêt que présente l'étude, à l'aide de la diffusion Raman, des effets vibrationnels dus aux impuretés substitutionnelles dans les cristaux. On fait brièvement le point sur l'état actuel des travaux expérimentaux et théoriques se rapportant à ce problème. Enfin, on présente les résultats d'un récent calcul de spectres Raman du premier ordre de cristaux de Si dopés respectivement à 1 % atomique de Ge et à 1 % atomique de ¹²C.

Abstract
The study, using Raman scattering, of vibrational effects due to substitutional impurities in crystals is shown to lead to interesting results. The present state of experimental and theoretical work on this problem is reviewed. Finally, results are given of a recent calculation of first-order Raman spectra of Si crystals respectively doped by 1 % of Ge or 1 % of ¹²C.