| Issue |
J. Phys. Colloques
Volume 28, Number C1, Février 1967
COLLOQUE SUR LES PHONONS ET HYPERSONS
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C1-14 - C1-19 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1967102 | |
J. Phys. Colloques 28 (1967) C1-14-C1-19
DOI: 10.1051/jphyscol:1967102
MODES LOCALISÉS DUS AUX IMPURETÉS DANS LE SILICIUM
M. BALKANSKILaboratoire de Physique de l'Ecole Normale Supérieure, Paris V
Résumé
Les modes localisés dans le silicium ont été déjà étudiés dans de nombreux travaux. Dans l'exposé qui suit, sont présentés les résultats récents sur les spectres d'absorption du silicium dans l'infrarouge, dopé au bore et lithium simultanément. Toutes les bandes spécifiques de la présence de ces 2 impuretés sont interprétées en terme de modes localisés dus au bore seul et au complexe bore-lithium. Un modèle de la position du complexe dans le réseau est donné et les résultats confirmant cette position sont analysés.
Abstract
The localized modes in silicon have already been extensively studied. In the present work, recent results are presented on the infrared absorption spectra of silicon simultaneously doped with boron and lithium. All the absorption bands specific to the presence of these two impurities are interpreted in terms of localized modes due to boron only and to the complex boron-lithium. A mode1 of the position of the complex in the lattice is given and the results confirming this position are analysed.