Supplément au Journal de Physique Colloques

ANALYSIS AND ORIGIN OF POINT DEFECTS IN SILICON AFTER LIQUID PHASE TRANSIENT ANNEALING

A. Mesli, J.C. Muller et P. Siffert

J. Phys. Colloques, 44 C5 (1983) C5-281-C5-295

DOI: 10.1051/jphyscol:1983543

A. Mesli

J.C. Muller

P. Siffert

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