ÉTUDE DE LA RÉPARTITION DES IONS ET DES DÉFAUTS CRÉÉS PAR IMPLANTATION DANS LES SEMI-CONDUCTEURS PAR INTERFÉROMÉTRIE INFRAROUGE
J. Phys. Colloques, 34 C5 (1973) C5-35-C5-38
DOI: 10.1051/jphyscol:1973508