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Three-dimensional effects due to the field oxide in MOS devices analyzed with MINIMOS 5
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Numerical treatment of nonrectangular field-oxide for 3-D MOSFET simulation
M. Thurner, P. Lindorfer and S. Selberherr IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 9(11) 1189 (1990) https://doi.org/10.1109/43.62756
P. Ciampolini, A. Pierantoni, M. Melanotte, C. Cecchetti, C. Lombardi and G. Baccarani 131 (1989) https://doi.org/10.1109/IEDM.1989.74244