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Article cité :

Three-dimensional effects due to the field oxide in MOS devices analyzed with MINIMOS 5

M. Thurner and S. Selberherr
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 9 (8) 856 (1990)
https://doi.org/10.1109/43.57786

Numerical treatment of nonrectangular field-oxide for 3-D MOSFET simulation

M. Thurner, P. Lindorfer and S. Selberherr
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 9 (11) 1189 (1990)
https://doi.org/10.1109/43.62756