INFLUENCE OF HYDROGEN RELATED DEFECTS ON THE Qot, Dit BUILD-UP DUE TO STRESS AND ANNEALING IN THE MOS SYSTEM
J. Phys. Colloques, 49 C4 (1988) C4-757-C4-760
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Radiation induced degradation of Si/SiO2 structures and the nature of defects
W. Füssel, M. Schmidt and H. FlietnerNuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 65 (1-4) 238 (1992)
https://doi.org/10.1016/0168-583X(92)95041-O