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Article cité :

ENERGY LOSS MECHANISM FOR HOT ELECTRONS IN GaAs

D. NEILSON, J. SZYMANSKI, DE-XIN LU

J. Phys. Colloques, 48 C5 (1987) C5-263-C5-266

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987556

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Citations de cet article :

Temperature-dependent screening and carrier-carrier scattering in heavily doped semiconductors

Kjeld O. Jensen, J. M. Rorison and Alison B. Walker
Physical Review B 48 (23) 17121 (1993)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.48.17121

Energy-resolved study of the spin precession in photoemission from activated (110) GaAs

H. Riechert, H.-J. Drouhin and C. Hermann
Physical Review B 38 (6) 4136 (1988)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.38.4136