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Two-dimensional simulation of submicrometer GaAs MESFETs: surface effects and optimization of recessed gate structures

F. Heliodore, M. Lefebvre, G. Salmer and O.L. El-Sayed
IEEE Transactions on Electron Devices 35 (7) 824 (1988)
https://doi.org/10.1109/16.3332

Characteristics of velocity overshoot in GaAs under uniform‐field conditions

M. O. Vassell and Johnson Lee
Journal of Applied Physics 58 (11) 4230 (1985)
https://doi.org/10.1063/1.335557