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Article cité :

Density-of-state distribution and variable-range hopping transport in amorphous silicon prepared by ion bombardment

B. Ruttensperger, G. MÜLler and G. KrÖTz
Philosophical Magazine B 68 (2) 203 (1993)
https://doi.org/10.1080/01418639308226401

Recombination at correlated dangling bonds and the effects of Fermi level position on steady-state photoconductwiry in amorphous silicon

E. Morgado
Philosophical Magazine B 63 (2) 529 (1991)
https://doi.org/10.1080/13642819108205957

Recombination at dangling bonds and band tails: Temperature dependence of photoconductivity in hydrogenated amorphous silicon

F. Vaillant, D. Jousse and J.-C. Bruyere
Philosophical Magazine B 57 (5) 649 (1988)
https://doi.org/10.1080/13642818808211235

Substitutional doping of amorphous silicon a comparison of different doping mechanisms

G. Müller, H. Mannsperger and S. Kalbitzer
Philosophical Magazine B 53 (4) 257 (1986)
https://doi.org/10.1080/01418638608244287

Majority and minority carrier lifetimes in doped a-Si junctions and the energy of the dangling-bond state

W. E. Spear, H. L. Steemers, P. G. Le Comber and R. A. Gibson
Philosophical Magazine B 50 (3) L33 (1984)
https://doi.org/10.1080/13642818408238855