Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 51, Numéro C1, Janvier 1990
Proceeding of the International Congress
Intergranular and Interphase Boundaries in materials
Page(s) C1-483 - C1-487
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1990175
J. Phys. Colloques 51, C1-483-C1-487 (1990)
DOI: 10.1051/jphyscol:1990175

LOW TEMPERATURE REOXIDATION KINETICS IN SrTiO3

F.D. GEALY1 et H.L. TULLER2

1  Ramtron Corp., Colorado Springs, CO 80918, USA
2  Crystal Physics and Optical Electronics Laboratory, Department of Materials Science and Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA 02139, U.S.A.


Abstract
La cinétique d'oxydation du SrTiO3-x a été étudiée à température basse par l'entremise de technique photoéléctrochimique de profile de lacune d'oxygène. Nous avons observé la cinétique d'oxydation des surface endommagées est contrôlée par l'échange en surface alors que pour les surface décapées, la cinétique est contrôlée par une diffusion en volume, caractérisée par une énergie d'activation de 1.16 eV, jusqu'à la température ambiante.


Abstract
The low temperature oxidation kinetics of SrTiO3-x were investigated by examining oxygen vacancy profiles photoelectrochemically. Surface exchange limited kinetics controlled reoxidation at damaged surfaces while bulk diffusion, characterized by an activation energy of 1.16 eV, controlled down to room temperature at etched surfaces.