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J. Phys. Colloques
Volume 50, Numéro C5, Mai 1989
Actes de la 7ème Conférence Européenne sur les Dépôts Chimiques en Phase Gazeuse / Proceedings of the Seventh European Conference on Chemical Vapour Deposition
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| Page(s) | C5-765 - C5-772 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989592 | |
J. Phys. Colloques 50 (1989) C5-765-C5-772
DOI: 10.1051/jphyscol:1989592
EVIDENCE FOR FREE CARBON IN AMORPHOUS OMCVD SILICON-RICH SixC1-x COATINGS
A. MESTARI, F. MAURY et R. MORANCHOCristallochimie, Réactivité et Protection des Matériaux, CNRS UA-445, ENSCT, 118 route de Narbonne, F-31077 Toulouse Cedex, France
Résumé
Des films SixC1-x riches en silicium ont été déposés par OMCVD sous pression réduite entre 800 et 1000°C en utilisant SiEt4 comme source de C et Si. Un enrichissement supplémentaire en Si a été obtenu par addition de SiH4 dans la phase gazeuse. Malgrés l'excès de Si, la présence de carbone libre a été mise en évidence par les différentes caractérisations (IR et XPS). La microstructure hétérogène de ces films amorphes dépend de la température et de la pression partielle de silane.
Abstract
Silicon-rich SixC1-x layers have been deposited by OMCVD at low pressure in the temperature range 800-1000°C using the organometallic compound SiEt4 for both Si and C source. A Si enrichment of these amorphous SixC1-x coatings was obtained by addition of SiH4 to the gas-phase. The influence of this silane partial pressure increase on the growth rate, the composition and optical properties of the films has been investigated. In spite of the silicon excess, evidence for free carbon was found both in the variation of the optical band gap and the IR spectra. The XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) analysis argues also for a heterogeneous microstructure for these amorphous ceramic thin films.