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J. Phys. Colloques
Volume 50, Numéro C5, Mai 1989
Actes de la 7ème Conférence Européenne sur les Dépôts Chimiques en Phase Gazeuse / Proceedings of the Seventh European Conference on Chemical Vapour Deposition
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| Page(s) | C5-657 - C5-664 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989576 | |
J. Phys. Colloques 50 (1989) C5-657-C5-664
DOI: 10.1051/jphyscol:1989576
AMORPHOUS SILICON NITRIDE THIN FILMS PERFORMED IN TWO PECVD EXPERIMENTAL DEVICES
J. L. JAUBERTEAU, M. I. BARATON, MM. GERBIER, P. QUINTARD, J. DESMAISON, J. AUBRETON et A. CATHERINOTLaboratoire de Céramiques Nouvelles, CNRS UA-320, Université de Limoges, 123, avenue Albert Thomas, F-87060 Limoges Cedex, France
Résumé
Les films de nitrure de silicium sont réalisés par deux procédés de PECVD différents. Dans le premier, ces films sont formés dans une décharge à courant continu dans un plasma d'argon-silane-azote alors que dans le second dispositif, une espèce active d'azote est créée sélectivement dans une post-décharge d'azote et réagit avec le silane dans une zone de réaction où est positionné le substrat. Dans les deux cas, les films réalisés sont sous-stoechiométriques en azote. Leurs caractéristiques : morphologie, structure et composition sont étudiées et comparées.
Abstract
Silicon nitride thin films are obtained using two different PECVD devices. In the first one, these thin films are created in a DC discharge in an argon-silane-nitrogen gas mixture whereas in the second, nitrogen active species are selectively produced in a flowing nitrogen post-discharge and then react with silane in a reaction region where is positioned the substrate. In both cases, the obtained films are substoichiometric in nitrogen. Their characteristics : morphology, structure and composition are studied and compared.