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J. Phys. Colloques
Volume 50, Numéro C5, Mai 1989
Actes de la 7ème Conférence Européenne sur les Dépôts Chimiques en Phase Gazeuse / Proceedings of the Seventh European Conference on Chemical Vapour Deposition
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| Page(s) | C5-637 - C5-645 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989574 | |
J. Phys. Colloques 50 (1989) C5-637-C5-645
DOI: 10.1051/jphyscol:1989574
PYROLYTIC DECOMPOSITION OF SILANE ON LASER-IRRADIATED SILICA SUBSTRATES
D. TONNEAU1, Y. PAULEAU2 et G. AUVERT21 Société Bertin, BP. 22, F-13762, Les Milles, France
2 Centre National d'Etudes des Télécommunications, BP. 98, F-38243 Meylan, France
Résumé
Des microstructures ont été obtenues sur substrats de silice (recouverts ou non d'une couche mince de silicium) par décomposition du silane sous irradiation par un laser CO2 continu. La vitesse de dépôt des microstructures de silicium ayant un profil gaussien est proportionnelle à la pression de silane et varie linéairement avec la puissance du laser ou la température de la surface du substrat. A faible pression de silane (inférieure à 1 Torr) et au-dessus de 1050°C, des microstructures en forme d'anneau ont été déposées sur substrat de silice et la silice était gravée au centre du spot. Les mécanismes réactionnels intervenant dans le dépôt de silicium et la gravure de la silice sont analysés dans cet article.
Abstract
Microstructures were produced on Si-coated or uncoated silica substrates via cw CO2 laser-induced decomposition of silane. The deposition rate of Si dots having a Gaussian profile was found to be proportional to the SiH4 pressure and linearly dependent on the laser power or laser-induced surface temperature. At low SiH4 pressures (below 1 Torr) and above 1050°C, ring-shaped Si dots were deposited on silica substrates and SiO2 was etched at the center of the laser spot. The reaction mechanisms of the deposition of silicon and etching of silica are discussed in this paper.