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J. Phys. Colloques
Volume 50, Numéro C5, Mai 1989
Actes de la 7ème Conférence Européenne sur les Dépôts Chimiques en Phase Gazeuse / Proceedings of the Seventh European Conference on Chemical Vapour Deposition
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Page(s) | C5-353 - C5-362 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989542 |
J. Phys. Colloques 50 (1989) C5-353-C5-362
DOI: 10.1051/jphyscol:1989542
COMPORTEMENT PHYSICO-CHIMIQUE DE Si3N4 OBTENU PAR LPCVD SOUMIS A DES FLUX RADIATIFS INTENSES
A. WANG, D. THENEGAL, C. ROYERE, C. DUPUY et B. ARMASInstitut de Science et de Génie des Matériaux et Procédés, CNRS, BP. 5, Odeillo, F-66120 Font-Romeu, France
Résumé
Deux variétés de Si3N4, l'une amorphe, l'autre cristallisée, sont élaborées sous forme de revêtements de PDSN (Pyrolytic Deposited Silicon Nitride) de 200µm d'épaisseur sur substrat de graphite. Des traitements thermiques de ces couches sur leur substrat, en régime transitoire, à l'air libre, obtenus à l'aide de créneaux de flux radiatifs intenses (limités à 450 W/cm2) permettent de mettre en évidence des comportements physico-chimiques distincts pour les deux variétés. Le matériau amorphe est transformé en partie dès 1700°C en Si3N4 α puis dès 1800°C en un mélange de Si3N4 α et β. On observe une fissuration très dense de ce dépôt dès 1350°C. Le matériau cristallisé (Si3N4 α) ne subit pas de changement de structure jusqu'à 2030°C au moins. Il se fissure à partir de 1740°C. Les deux variétés subissent en surface, à haute température, une décomposition et une oxydation, qui affectent les morphologies des surfaces.
Abstract
The Si3N4 amorphous and crystalline phases are prepared, in the shape of 200µm thick PDSN coatings on graphite substrates. Heat treatments of these layers on their substrates, in air, under non steady conditions derived from high radiant heat pulses (up to 450 W/cm2 lead to two distinct physico-chemical behaviours of the two phases. The amorphous material starts to change partly into α Si3N4 at 1700°C then, above 1800°C, into a mixture of α and β - Si3N4. Intense cracking of this material is observed starting at 1350°C. The crystalline material (α Si3N4) shows no phase transformation at least up to 2030°C. Cracking starts at 1740°C. At high temperature both phases turn to be surface decomposed and oxidised : these two processes modify the layers surface morphology.