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J. Phys. Colloques
Volume 50, Numéro C2, Février 1989
Second International Workshop on MeV and keV Ions and Cluster Interactions with Surfaces and Materials
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| Page(s) | C2-251 - C2-257 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989240 | |
J. Phys. Colloques 50 (1989) C2-251-C2-257
DOI: 10.1051/jphyscol:1989240
ELECTRONIC SPUTTERING : ANGULAR AND CHARGE-STATE DEPENDENCE OF THE YIELD VIA SUPERPOSITION
R.E. JOHNSONDepartment of Nuclear Engineering and Engineering Physics, University of Virginia, Charlottesville, VA 22901, U.S.A.
Résumé
La désorption électronique par ions rapides est traitée en utilisant la superposition d'effets à partir de points sources le long de la trace d'un ion incident. La comparaison est faite avec la dépendance angulaire du rendement d'émissions pour des gaz condensés solides à basse température. L'effet d'équilibre d'états de charge est considéré. Il est montré que la dépendance angulaire peut être expliquée sans paramètres libres même si le transport d'énergie s'effectue sur de petites distances. Cependant ni l'angle d'incidence, ni l'état de charge n'induisent de contraintes sévères sur le mécanisme d'émission.
Abstract
Fast-ion induced electronic sputtering (desorption) is treated using the superposition of effects from point sources along the track of an incident ion. Comparison is made with the angular dependence of the sputtering yield for low-temperature condensed-gas solids and the effect of charge-state equilibration is considered. It is shown that the measured angular dependence can be explained without free parameters if energy (momentum) transport occurs even over small distances. However, neither the incident - angle dependence nor the charge-state dependence place severe constraints on the ejection mechanism.