Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C5, Octobre 1988
Interface Science and Engineering '87
An International Conference on the Structure and Properties of Internal Interfaces
Page(s) C5-569 - C5-574
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988570
Interface Science and Engineering '87
An International Conference on the Structure and Properties of Internal Interfaces

J. Phys. Colloques 49 (1988) C5-569-C5-574

DOI: 10.1051/jphyscol:1988570

THE ROLE OF GRAIN BOUNDARY STRUCTURE ON THE ELECTROCHEMICAL STABILITY OF PASSIVE FILMS FORMED ON HIGH PURITY POLYCRYSTALLINE NICKEL

G. PALUMBO et K.T. AUST

Department of Metallurgy and Materials Science, University of Toronto, Toronto M5S 1A4, Canada


Résumé
Les techniques électrochimiques à l'aide de la microscopie électronique (SEM/ECP) sont utiliser pour examiner l'effet de la structure des joints de grain (i.e. CSL) sur la corrosion intergranulaire du nickel polycristallin de haute submergé dans l'acide sulfurique (2N). Les potentiels électrochimiques caractéristiques (Egb) de l'initiation de l'attaque intergranulaire sont obtenus dans le domaine de potentiel passif-transpassif. Ces potentiels sont fortement dépendant des paramètres structuraux (i.e., Σ, Ɗθ), avec les joints ayant une désorientation proche à cette de basse-Σ et de haute résistance à l'attaque intergranulaire. Ces résultats sont considérés en relation avec la stabilité des couches passive formées sur défauts cristallins.


Abstract
Electrochemical techniques were utilized in conjunction with SEM/ECP to investigate the effects of grain boundary structure (i.e. CSL) on the intergranular corrosion behaviour of high purity polycrystalline Ni (99.999%) in 2 N H2SO4. Characteristic electrochemical potentials (Egb) for the initiation of grain boundary corrosion were found to exist within the passive-transpassive potential range. These potentials were determined to be strongly structure-dependent (i.e. Σ, Ɗθ) with boundaries close to low-Σ CSL relationships displaying a high resistance to the initiation of localized attack (i.e. high Egb). These results are discussed in terms of the stability of passive films formed at crystalline defects.