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J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
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| Page(s) | C5-247 - C5-250 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987552 | |
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-247-C5-250
DOI: 10.1051/jphyscol:1987552
CAPTURE CROSS-SECTIONS OF DEEP LEVELS IN SUPERLATTICES
D. STIEVENARD1, D. VUILLAUME1, S.L. FENG2 et J.C. BOURGOIN21 Laboratoire de Physique des Solides (UA 253), Institut Supérieur d'Electronique du Nord, 41, Bd Vauban, F-59046 Lille Cedex, France
2 Groupe de Physique des Solides de l'Ecole Normale Supérieure, Université Paris VII, T-23, 2, Place Jussieu, F-75251 Paris Cedex 05, France
Résumé
La spectroscopie de transitoires de capacité peut être utilisée pour caractériser les super-réseaux et les défauts qu'ils contiennent. Ici nous décrivons la mesure de section de capture d'électrons sur des niveaux profonds introduits par irradiation d' électrons. La variation du taux de capture avec la température indique que cette capture se produit par émission multiphonon, dont les caractéristiques peuvent être prédites en prenant en compte la structure de bande du super-réseau.
Abstract
Transient capacitance spectroscopy can be used to characterize superlattices and the defects they contain. Here, we describe the measurement of electron capture cross-sections of deep levels introduced by electron irradiation. The variation of the capture rate versus temperature indicates that this capture occurs through a multiphonon emission process whose characteristics can be predicted in taking into account the superlattice band structure.