RESPECTIVE ROLES OF IMPURITIES AND DEFECTS IN Al/Ga INTERDIFFUSION IN ION IMPLANTED GaAs-Al_xGa_1-xAs SUPERLATTICES

Résumé
L'influence des défauts d'implantation, séparés des effets associés aux charges des impuretés, a été étudiée sur l'interdiffusion d'Al/Ga dans des superréseaux (SR) GaAs-Al_{0. 3}Ga_0.7As. L'implantation des éléments isoélectroniques ³¹P⁺ et ²⁷Al⁺ ont été effectués dans des SR à deux températures (25°C et 250°C) dans le but d'obtenir différentes densités de défauts pour chaque élément. Les propriétés de ces structures, avant et après recuits à 850°C durant 6 h, ont été évaluées à l'aide de plusieurs techniques d'analyses. Ainsi, nous avons mis en évidence la dépendance d'interdiffusion sur la densité des défauts et la durée de leur recuit.

Abstract
The influence of implant damage, seperated from impurity change associated effects, has been investigated on Al/Ga interdiffusion. Implants of electrically inactive isoelectronic elements ³¹P⁺ and ²⁷Al⁺ were performed in molecular beam epitaxy grown (MBE) GaAs-Al_0.3Ga_0.7As superlattices (SLs) at two distinct temperatures (25°C and 250°C) to generate different damage densities. Their properties, before and after anneals at 850°C for periods up to 6 h, were evaluated using several characterization techniques. An unambiguous evidence to the implant damage and anneal duration dependent Al/Ga interdiffusion is presented and discussed.