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J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
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| Page(s) | C5-533 - C5-536 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19875114 | |
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-533-C5-536
DOI: 10.1051/jphyscol:19875114
EXCITONS IN SMALL PERIOD GaAs/GaAlAs SUPERLATTICES
B. LAMBERT1, A. CHOMETTE1, F. CLEROT1, B. DEVEAUD1, A. REGRENY1 et G. BASTARD21 Centre National d'Etudes des Télécommunications, LAB/ICM/MPA, 22300 Lannion, France
2 Groupe de Physique des Solides de l'Ecole Normale Supérieure, 24, Rue Lhomond, F-75231 Paris Cedex 05, France
Résumé
L'énergie de liaison de l'exciton dans des super-réseaux GaAs-GaAlAs de petites périodes est déterminée au moyen de l'excitation de la photo-luminescence et de la photoluminescence en fonction de la température. L'énergie de liaison de l'exciton lié au trou lourd décroît avec la période du super réseau. Les résultats expérimentaux sont en accord avec un calcul variationnel.
Abstract
We report the optical determination of exciton binding energies in small period GaAs/Ga0./Al0.3As superlattices by means of low temperature photoluminescence excitation spectroscopy and photoluminescence spectroscopy as a function of temperature. The heavy-hole exciton binding energy decreases with superlattice period. Our experimental findings are in agreement with a variational calculation.