TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY OF MULTILAYERED METAL AND SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Résumé
La microscopie éléctronique par transmission de sections transversales permet l'observation directe d'interfaces dans des structures en couche avec un pouvoir de résolution atteignant l'échelle atomique. Comme les sections montrent autant la direction verticale, c'est à dire la direction de la croissance de la couche que la direction laterale, elles permettent, par exemple l'appreciation des irrégularités de l'interface ainsi que l'uniformité de la croissance des couches. Plusieurs exemples sont présentés illustrant le genre d'information qu'il est possible d'obtenir de l'étude ou TEM de structure de métal et de semiconducteur. Les multicouches métalliques déposées par sputtering sont en rapport avec les procédés de métallisation pour la technologie VLSI. Les structures semi-conducteurs sont des couches hétéroépitaxiales déposées par MBE ou MOVPE.

Abstract
Transmission electron microscopy of crosssectional specimens allows to visualize the interfaces of layered structures directly with a spatial resolution down to an atomic scale. Since the crosssections display both the vertical direction, i.e. the direction of layer growth and the lateral direction, they allow assessment of, e.g., abruptness of interfaces as well as lateral uniformity of film growth. A number of examples are presented to illustrate which type of information can be obtained by TEM characterization of both metal and semiconductor structures. The metal multilayers were sputter deposited and are related to metallization system used in VLSI technology. The semiconductor structures are heteroepitaxial layers deposited by MBE or MOVPE.