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J. Phys. Colloques
Volume 47, Numéro C8, Décembre 1986
EXAFS and Near Edge Structure IV
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| Page(s) | C8-379 - C8-382 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1986874 | |
J. Phys. Colloques 47 (1986) C8-379-C8-382
DOI: 10.1051/jphyscol:1986874
EXAFS STUDY OF c-Si, a-Si AND a-Si : H
A. MENELLE1, A.M. FLANK2, P. LAGARDE2 et R. BELLISSENT11 Laboratoire Léon Brillouin, CEN-Saclay, F-91191 Gif-Sur-Yvette Cedex, France
2 LURE (CNRS, CEA, CEN), Bâtiment 209D, UPS, F-91405 Orsay Cedex, France
Résumé
Des mesures Exafs au seuil K du silicium ont été réalisées afin de déterminer le rôle de l'hydrogène dans a-Si : H. Le désordre topologique, ainsi que les variations du facteur de Debye-Waller avec la température sont présentés. Une répartition hétérogène de l'hydrogène compatible avec des prédictions théoriques et des mesures de diffusion de neutrons aux petits angles est proposée.
Abstract
In order to determine the role played by the hydrogen atoms in a-Si : H, short range order has been investigated using Exafs at the silicon K-edge. Emphasis has been put on topological disorder ; low temperature measurements allowed us to look at its variations. Concerning hydrogen, a non homogeneous distribution has been deduced and a 2-d or 1-d repartition consistent with both theoretical prediction and small angle neutron scattering data is proposed.