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J. Phys. Colloques
Volume 47, Numéro C8, Décembre 1986
EXAFS and Near Edge Structure IV
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| Page(s) | C8-193 - C8-198 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1986836 | |
J. Phys. Colloques 47 (1986) C8-193-C8-198
DOI: 10.1051/jphyscol:1986836
TIME RESOLVED X-RAY ABSORPTION MEASUREMENTS ON PULSED LASER IRRADIATED THIN SILICON FOILS AND SILICON PLASMAS
H. VAN BRUG, F. BIJKERK, H.C. GERRITSEN, K. MURAKAMI et M.J. VAN DER WIELFOM Institute for Atomic and Molecular Physics, Kruislaan 407, 1098 SJ Amsterdam, The Netherlands
Résumé
Nous présentons des mesures d'absorption de rayons X en résolution temporelle par des couches minces de silicium amorphe, soumises à un rayonnement laser pulsé. Nous avons comparé ces résultats à des mesures d'absorption sur des clusters et des plasmas de silicium, produits par irradiation d'une plaque de silicium par un laser pulsé. Notre appareil est constitué d'un plasma laser utilisé comme source à rayons X, d'une chambre à échantillon, d'un polychromateur et d'un système de détection multicanal.
Abstract
We present time resolved x-ray absorption measurements (90-300eV) on amorphous silicon foils, that are pulsed laser irradiated. These results are compared with absorption measurements on silicon clusters and silicon plasmas, produced by pulsed laser irradiation of bulk silicon. Our apparatus consists of : a laser plasma x-ray source, a sample stage, a polychromator and a multichannel detector system.