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J. Phys. Colloques
Volume 47, Numéro C1, Février 1986
Thirteenth International Conference on Science of Ceramics
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| Page(s) | C1-895 - C1-899 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19861138 | |
J. Phys. Colloques 47 (1986) C1-895-C1-899
DOI: 10.1051/jphyscol:19861138
Pb Mg1/3 Nb2/3 O3 (PMN) MULTILAYER CAPACITORS
M. LEJEUNE1 et J.P. BOILOT21 Ecole Nationale Supérieure de Céramique Industrielle, 47 à 73, Avenue Albert Thomas, F-87065 Limoges Cedex, France
2 Groupe de Chimie du Solide, Physique de la Matière Condensée, Ecole Polytechnique, F-91128 Palaiseau Cedex, France
Résumé
Des condensateurs milticouches ont été réalisés à partir d'une chamotte 3 PbO - MgO - Nb2O5 dopée en oxyde de plomb, en utilisant comme électrode interne un alliage 70 Ag - 30 Pd. La nature et la répartition des phases dans les chips varient suivant l'importance du dopage en oxyde de plomb (6 - 8 % en poids) et les conditions de frittage (TMax : 850°C - 1000°C, à l'air ou sous atmosphère contrôlée en plomb). On trouve, à travers une section d'un condensateur, une phase pyrochlore particulièrement développée en surface alors que la zone active est riche en phase perovskite associée éventuellement à une phase vitreuse à base d'oxyde de plomb, celle-ci abaissant la constante diélectrique du condensateur.
Abstract
Multilayer capacitors were made from a 3PbO - MgO - Nb2O5 mixing doped with lead oxide, and a 70 Ag - 30 Pd alloy as internal electrode. The phase nature and distribution in chips depend on the additions of lead oxide (6-8 wt %) and the sintering step (TMax : 850 - 1000°C, in air or in a PbO controlled atmosphere). Through a chip cross section, one can note a pyrochlore type phase especially developped in the surface layer while the chip active area is essentially constituted of a perovskite type phase (PMN) and of an eventual glassy phase based on lead oxide, which strongly lowers the chip dielectric constant.