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J. Phys. Colloques
Volume 47, Numéro C1, Février 1986
Thirteenth International Conference on Science of Ceramics
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| Page(s) | C1-843 - C1-847 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19861129 | |
J. Phys. Colloques 47 (1986) C1-843-C1-847
DOI: 10.1051/jphyscol:19861129
PREPARATION OF SEMICONDUCTING CERAMICS (NTC THERMISTORS) BY CHEMICAL METHOD
E. JABRY1, G. BOISSIER1, A. ROUSSET1, R. CARNET2 et A. LAGRANGE21 Laboratoire de Chimie des Matériaux Inorganiques, Université Paul Sabatier, 118 Route de Narbonne, F-31062 Toulouse Cedex, France
2 Société L.C.C.-C.I.C.E., (Groupe Thomson-CSF), Avenue du Colonel Prat, St Apollinnaire, F-21100 Dijon, France
Résumé
La décomposition en atmosphère contrôlée de précurseurs oxaliques mixtes (Mn1-yNiy)C2O4, 2H2O permet de préparer directement et à basse température (600-700°C) des poudres de manganites de nickel Mn3-xNixO4(0<x<1) présentant une morphologie contrôlable. Ces poudres, frittées à 1160°C seulement, conduisent à des céramiques semi-conductrices très bien densifiées (96 % de la densité théorique) et présentant des résistivités électriques nettement plus faibles que celles observées jusque là pour de tels composés.
Abstract
The decomposition in controlled atmosphere of mixed oxalic precursors (Mn1-yNiy)C2O4, 2H 2O allows at low temperature (600-700°C), direct preparation of powders of nickel manganites Mn3-xNixO4(0<x<1)producing a controlled morphology. These powders sintered at only 1160°C lead to highly densified semiconducting ceramics (96 % of the theoretical density) and have electrical resistivities clearly lower than those observed up until now for such compounds.