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J. Phys. Colloques
Volume 46, Numéro C8, Décembre 1985
Third International Conference on the Structure of Non-Crystalline Materials
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| Page(s) | C8-495 - C8-498 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1985877 | |
J. Phys. Colloques 46 (1985) C8-495-C8-498
DOI: 10.1051/jphyscol:1985877
GROWTH AND STRUCTURE OF NONCRYSTALLINE SiO2 FILMS ON SILICON
A.G. Revesz1, B.J. Mrstik2 and H.L. Hughes21 Revesz Associates and Howard University, 7910 Park Overlook Drive, Bethesda, MD 20817, U.S.A.
2 Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375-5000, U.S.A.
Résumé
L'épaisseur de la couche d'oxyde et la vitesse d'oxydation par traitement thermique du silicium sont interprétées sur la base d'un mécanisme où la diffusion de l'oxygène à travers l'oxyde non cristallisé est dû à la superposition de deux effets dont l'un ne dépend pas de l'épaisseur de la couche oxydée. Cet effet est attribué à l'existence de canaux structuraux.
Abstract
Oxide thickness and oxidation time data related to thermal oxidation of silicon are interpreted by a model in which the oxygen transport through the noncrystalline oxide has two components : one is the usual random-walk diffusion dependent on thickness and the other one is independent of thickness. The latter one is attributed to transport through structural channels.