DIRECT LUMINESCENCE AND THERMALLY STIMULATED LUMINESCENCE OF 4H CdI₂

Résumé
Nous présentons les spectres de luminescence directe (LD) du 4H CdI₂ dans la région 1.8 à 3.4 eV, aux températures entre 9.3 et 215 K, ainsi que les spectres de luminescence thermiquement stimulée (LTS) du même composé. Les spectres de LD sont composés de plusieurs larges bandes d'émission qui se recouvrent. Ces bandes sont dues à la recombinaison des électrons localisés avec des trous localisés. Grâce à une théorie simple, qui tient compte de l'interaction électrostatique entre électron et trou nous avons pu expliquer quantitativement la position des bandes spectrales d'émission. Les spectres de LTS montrent des bandes d'émission à plusieurs températures. Ces bandes sont dues à la recombinaison des porteurs de charges initialement piégés. L'énergie d'activation des pièges est calculée en considérant les interactions électrostatiques entre porteurs de charges piégés.

Abstract
Direct luminescence (DL) spectra of 4H CdI₂ in the spectral region 1.8-3.4 eV at temperatures between 9.3 and 215 K and thermally stimulated luminescence (TSL) spectra are reported. The DL spectra consist of several overlapping broad emission bands. These bands are due to radiative recombination of localized (trapped) electrons with localized (trapped) holes. With a simple theory, which takes into account the electrostatic interaction between electron and hole it was possible to explain the position of the observed emission bands quantitatively. The TSL spectra show emission bands at several temperatures. These bands are due to the recombination of initially trapped charge carriers. The trap depths can be calculated, by taking into account the electrostatic interaction between the trapped charge carriers.