FIELD INDUCED ANISOTROPY OF CoTi FILMS PREPARED BY R.F. DIODE SPUTTERING

Résumé
Les variations de l'anisotropie magnétique uniaxiale K_u en fonction des paramètres de dépôts ont été étudiées dans les couches minces amorphes de Co_1-xTi déposées par pulvérisation r.f.. La puissance r.f. affecte essentiellement le champ coercitif H_c, tandis que K_u varie fortement avec la pression du gaz pulvérisant. Pour le Co₈₅Ti₁₅ et avec des paramètres de dépôts optmums on obtient K_u = 8.4 x 10⁴ erg/cm³ et H_c = 2 0e. Cette valeur très élevée de K_u serait liée à la structure locale de l'alliage amorphe du type Co-métal.

Abstract
The dependence on deposition parameters of the field induced uniaxial anisotropy K_u is reported in amorphous Co_1-xTi_x thin films prepared by r.f. sputtering. The input r.f. power affects essentially the coercive field H_c, while K_u varies strongly with the pressure of the sputtering gas. For Co₈₅Ti₁₅ alloys one obtains with optimum deposition parameters K_u = 8.4 x 10₄ erg/cm³ and H_c = 2 0e. This unusually high value of K_u is believed to be related to the amorphous structure of Co-metal type alloys.