| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C9, Décembre 1984
31st International Field Emission Symposium / 31ème Symposium International d'Emission de Champ
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C9-39 - C9-42 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1984907 | |
J. Phys. Colloques 45 (1984) C9-39-C9-42
DOI: 10.1051/jphyscol:1984907
EPITAXIAL GROWTH AND SOME PROPERTIES OF SAMARIUM CRYSTALS ON TUNGSTEN
A. Ciszewski1, 2 et A.J. Melmed1, 31 National Bureau of Standards, Gaithersburg, MD 20899, U.S.A.
2 Institute for Experimental Physics, University of Wroclaw, 50-205 Wroclaw, Poland.
3 Visiting Scientist at the Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, W. Berlin, Federal Republic of Germany.
Résumé
La croissance cristalline de couches de samarium a été réalisée par déposition de vapeur sur des pointes de tungsten pour une étude par microscopie à émission de champ électronique et sur des monocristaux orientés (011) de tungstene pour une étude par diffraction des électron lents . Les conditions optimales de croissance ont été réalisées pour une température du substrat comprise entre 650 et 750 K. La relation d'épitaxie la plus couramment observée était (0001)Sm // (011)W avec [11-20]Sm // [001]W. Le paramètre cristallin du Sm dans le plan (0001) est de quelques pour cents supérieur à la valeur correspondant au volume.
Abstract
Samarium epitaxial crystalline layers have been grown by vapor deposition onto either tungsten field-electron emitters or a single macro-cyrstal, (011)-oriented tungsten low-energy-electron diffraction specimen. Optimum growth occurred for substrate temperatures in the range of 650 - 750 K. The epitaxial relationship most commonly observed was (0001)Sm // (011)W with [1120]Sm // [001]W. The surface lattice constant of Sm(0001) appears to be a few per cent larger than the bulk value.