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J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C9, Décembre 1984
31st International Field Emission Symposium / 31ème Symposium International d'Emission de Champ
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| Page(s) | C9-23 - C9-27 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1984905 | |
J. Phys. Colloques 45 (1984) C9-23-C9-27
DOI: 10.1051/jphyscol:1984905
A PRELIMINARY STUDY OF SURFACE SELF-DIFFUSION AND EVAPORATION OF A SEMI CONDUCTOR (GaP)
Vu Thien Binh1, A. Maas2 et M. Drechsler31 Département de Physique des Matériaux, Université de Lyon I, 69622 Villeurbanne Cedex, France
2 A.G. Festkörper, Oberflächen, Universität Bonn, 53000 Bonn 1, F.R.G.
3 CRMC2-CNRS, 13288 Marseille, France
Résumé
Les observations réalisées au microscope électronique à transmission sur des whiskers de GaP, chauffés in-situ dans la chambre objet, ont montré la formation de pointes coniques qui récessionnent en fonction de la durée du traitement thermique. Cette évolution est conforme à celle prévue théoriquement pour le cas où on a action simultanée de l'auto-diffusion de surface et de l'évaporation. Cette étude préliminaire montre la possibilité d'utiliser la méthode d'évolution de pointe pour des mesures du coefficient d'auto-diffusion de surface et du taux d'évaporation de matériau semi-conducteur.
Abstract
The observations of GaP whiskers heated in-situ in transmission electron microscope show the formation of conical tips which recede with time. This evolution corresponds to the tip profile evolution predicted theoretically in case of a simultaneous action of surface self-diffusion and evaporation. This preliminary study shows that the tip evolution method can be used to measure surface self diffusion coefficients and evaporation rates of semiconductors.