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J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C8, Novembre 1984
Physics and Physicochemistry of Highly Condensed Matter /Physique et Physicochimie de la Matière très Condensée
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| Page(s) | C8-383 - C8-386 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1984868 | |
Physics and Physicochemistry of Highly Condensed Matter /Physique et Physicochimie de la Matière très Condensée
J. Phys. Colloques 45 (1984) C8-383-C8-386
DOI: 10.1051/jphyscol:1984868
1 Physics Department, Universidad de los Andes, Merida, Venezuela.
2 Laboratoire de Physique des Milieux Très Condensés et Département des Hautes Pressions, Université P. et M. Curie, 75230 Paris Cedex, France
J. Phys. Colloques 45 (1984) C8-383-C8-386
DOI: 10.1051/jphyscol:1984868
ELECTRICAL MEASUREMENTS WITHIN A GASKETED DIAMOND ANVIL CELL, PHOTOCONDUCTIVITY OF GaAs UP TO 7 GPa
J. Gonzalez1 et G. Weill21 Physics Department, Universidad de los Andes, Merida, Venezuela.
2 Laboratoire de Physique des Milieux Très Condensés et Département des Hautes Pressions, Université P. et M. Curie, 75230 Paris Cedex, France
Résumé
Nous avons étudié la photoconductivité dans GaAs jusqu'à 7 GPa en conditions hydrostatiques, à l'aide d'une cellule à enclumes de diamant équipée d'un joint muni de 4 passages électriques. Ces résultats contribuent à caractériser la transition de gap direct-indirect induite par la pression.
Abstract
Photoconductivity measurements of GaAs were performed up to 7 GPa in hydrostatic conditions, using a gasketed D.A.C. with 4 electrical leads to the pressurized volume. Experimental data are related to the pressure induced crossing of Γ and X levels of GaAs conduction band.