| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C8, Novembre 1984
Physics and Physicochemistry of Highly Condensed Matter /Physique et Physicochimie de la Matière très Condensée
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C8-57 - C8-60 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1984811 | |
J. Phys. Colloques 45 (1984) C8-57-C8-60
DOI: 10.1051/jphyscol:1984811
VOLUME DEPENDENCE OF OPTICAL TRANSITIONS IN GaAs : PHOTOMODULATED REFLECTIVITY
M. Hanfland1, K. Syassen1 et N.E. Christensen21 Physikalisches Institut, Universität Dusseldorf, D-4000 Düsseldorf 1, F.R.G.
2 Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, D-7000 Stuttgart 80, F.R.G.
Résumé
Nous avons etudié, par une méthode spectroscopique de réflexion photomodulée et en utilisant la technique de l'enclume à diamant, le comportement des gaps E0 et E1 en GaAs. On a déterminé aussi la relation pression-volume (PV) jusqu'à 170 kbar à l'aide de la diffraction des rayons X à haute pression. La dépendance de l'énergie optique de transition en fonction du volume (coefficients linéaires et quadratiques) et la relation PV expérimentale sont comparées aux résultats obtenus par le calcul relativiste self-consistant LMTO-ASA de la structure de bande.
Abstract
Photomodulated reflection spectroscopy in combination with the diamond cell technique has been used to study the pressure dependence of the E0 and E1 gaps in GaAs. In addition, the pressure-volume (PV) relation up to 170 kbar is determined by high pressure x-ray diffraction. The dependence of the optical transition energies on volume change (linear and quadratic coefficients) as well as the experimental PV relation are compared to results of selfconsistent relativistic LMTO-ASA band structure calculations.