ELECTRONIC PROPERTIES AT ABRUPT METAL-Si (III) INTERFACES

Résumé
Certaines similarités apparaissent lorsque l'on étudie les premières phases de la formation d'interfaces métal-semiconducteur où s'établissent de fortes liaisons sans interdiffusion des composés. Un cas typique est l'adsorption de Al, Ga et In sur le silicium (III) clivé où la première couche déposée établit des liaisons covalentes avec le substrat. Ce premier dépôt supprime les états électroniques de surface du Si, développe une couche dipolaire à l'interface, apporte de nouveaux états vides et occupés qui contrôlent la hauteur de la future barrière de Schottky. Toutefois quelques différences sont analysées dans le processus d'adsorption d'un métal à l'autre.

Abstract
The first steps of formation of different metal-Si (III) interfaces show a striking similarity, as demonstrated by their crystallographic and electronic properties, when the metals establish the same kind of strong bonding without intermixing. This situation is illustrated by the adsorption of Al, Ga and In on a clean cleaved Si(III) surface where the first layer binds covalently to the substrate : it removes the electron surface states of the clean surface, imposes a dipole layer at the interface and brings a new distribution of interface states, both empty and filled, which will control the height of the future Schottky barrier. However, slight differences in the adsorption process are observed between the metals, at submonolayer coverages, the origin of which is analysed.