ACOUSTIC PROPERTIES OF SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES AND INTERFACES

Résumé
Dans cet exposé, une brève revue du travail récent sur les propriétés acoustiques des super-réseaux et des interfaces semiconducteurs sera présentée. Les expériences qui étudient les effets du repliement des zones de Brillouin sur les courbes de dispersion des phonons acoustiques des super-réseaux de GaAs/AlGaAs, seront décrits. Ces expériences utilisent des jonctions supraconductrices à effet tunnel comme sources et détecteurs de phonons quasimonochromatiques. L'absorption résonnante déterminée par la période du super-réseau sera démontrée. Ces expériences prouvent que l'interface GaAs/AlGaAs est idéale pour les expériences acoustiques. De plus, l'interaction acoustique avec le gaz d'électrons à deux dimensions de l'hétérojonction GaAs/AlGaAs, en fonction du champ électrique, sera décrite. L'émission de phonons due aux effets des électrons "chauds" est observée directement à basses températures et est utilisée pour déterminer les processus de diffusion dus aux potentiels piezoélectriques et de déformation, ainsi que le début de l'émission de phonons optiques longitudinaux.

Abstract
In this talk a brief review of recent work on acoustic properties of semiconductor superlattices and interfaces will be presented. Experiments on the effects of zone folding in the acoustic phonon dispersion curve of GaAs/AlGaAs superlattices will be described. These experiments use superconducting tunnel junctions as sources and detectors of quasimonochromatic phonons. Resonant absorption determined by the superlattice period will be demonstrated. These experiments prove the ideality of the GaAs/ AlGaAs interface for acoustic experirnents. In addition, the acoustic interaction with the 2-D electron gas (2 DEG) at the GaAs/AlGaAs heterojunction as a function of electric field will be described. Phonon emission due to "hot" electron effects at low temperatures is observed directly and is used to determine the relevant piezoelectric and deformation potential scattering processes and the onset of L0 phonon emission.