| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C2, Février 1984
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse 10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis |
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| Page(s) | C2-877 - C2-880 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19842201 | |
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-877-C2-880
DOI: 10.1051/jphyscol:19842201
COMSAT Laboratories, Clarksburg, MD 20871, U.S.A.
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-877-C2-880
DOI: 10.1051/jphyscol:19842201
THERMAL WAVE IMAGING OF GaAs MATERIAL AND DEVICES
T.D. Kirkendall et T.P. RemmelCOMSAT Laboratories, Clarksburg, MD 20871, U.S.A.
Résumé
On décrit un procédé qui permet de caractériser les propriétés intrinsèques des matériaux semiconducteurs à base d'arséniure de gallium à l'aide d'images obtenues par ondes thermiques. On détermine aussi les propriétés physiques des composants ce qui ne serait pas possible avec les méthodes classiques de microscopie électronique, optique, ou acoustique.
Abstract
Thermal wave (TW) imaging was employed to delineate intrinsic properties of gallium arsenide (GaAs) semiconductor material and physical properties of GaAs devices not discernible by conventional techniques of electron, optical, or acoustic microscopy.