| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C2, Février 1984
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse 10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis |
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| Page(s) | C2-47 - C2-50 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1984212 | |
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-47-C2-50
DOI: 10.1051/jphyscol:1984212
Office National d'Etude et de Recherches Aérospatiales, 29 avenue de la Division Leclerc, 92320 Châtillon, France
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-47-C2-50
DOI: 10.1051/jphyscol:1984212
ANALYSE D'ÉCHANTILLONS STRATIFIÉS À LA MICROSONDE ÉLECTRONIQUE
J.L. Pouchou et F. PichoirOffice National d'Etude et de Recherches Aérospatiales, 29 avenue de la Division Leclerc, 92320 Châtillon, France
Résumé
Quelques applications d'un nouveau modèle de calcul adapté à l'étude quantitative d'échantillons inhomogènes en profondeur sont présentées.
Abstract
Some applications of a new model allowing quantitative study of in-depth heterogeneous samples are presented.