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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
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| Page(s) | C10-31 - C10-34 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831005 | |
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-31-C10-34
DOI: 10.1051/jphyscol:19831005
Physics Laboratory, University of Thessaloniki, Thessaloniki, Greece
J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-31-C10-34
DOI: 10.1051/jphyscol:19831005
OPTICAL CONSTANTS OF LAYER STRUCTURES FROM ELLIPSOMETRIC DATA
S. Logothetidis et J. SpyridelisPhysics Laboratory, University of Thessaloniki, Thessaloniki, Greece
Résumé
Il est possible de calculer les constantes optiques n⊥, k⊥ et n||, n|| d'un cristal uniaxe, en utilisant des mesures ellipsométriques sur un plan perpendiculaire à l'axe optique, avec l'aide d'un algorithme très efficace. Cette méthode a été appliquée au composé β-GaSe pour des longueurs d'onde de 3600 Å à 6800 Å.
Abstract
With the help of an efficient algorithm it is possible to calculate the optical constants n⊥, k⊥ and n||, k|| of an uniaxial crystal using ellipsometric measurements on a plane perpendicular to the optic axis (the cleavage plane). This method has been applied to β-GaSe compound in the spectral region 3600 Å to 6800 Å.