GRAIN BOUNDARY INTERDIFFUSION AND SURFACE COMPOUND FORMATION IN Al/Sb THIN FILM COUPLES

Résumé
Des films de 1000 Å constitués d'Al et de Sb en proportion stoechiométrique sont recuits de façon à former le composé AlSb. Nous comparons recuit thermique (au moyen d'un four) et recuit laser et nous étudions l'effet d'un recuit thermique à basse température sur l'énergie seuil de l'autre. Il est montré que les résultats sont compatibles avec un modèle précédemment élaboré pour un recuit laser de tels systèmes. Nous étudions également, au moyen de mesures par électrons Auger, l'évolution de l'Al à la surface de Sb pendant le recuit à basse température et nous concluons que cela se produit par diffusion sur les joints de grain et par la formation d'une couche 2-d du composé à des températures ≥ 200°C.

Abstract
1000 Å thick films of Al and Sb in stoichiometric ratio are annealed to form the compound AlSb. We compare furnace and laser annealing and study the effect of a low temperature furnace anneal on the energy threshold of the latter. The results are shown to be consistent with a model previously formulated for laser annealing of this and similar systems. We also study, by Auger electron measurements, the evolution of Al at the Sb surface during the low temperature anneal and conclude that this occurs by non rate limiting grain boundary diffusion and formation of a 2-d compound layer at temperatures ≥ 200°C.