DIFFUSION DE L'ALUMINIUM DANS LE SILICIUM CRISTALLIN PAR RECUIT LASER SEMI-CONTINU

Résumé
La diffusion atomique de l'aluminium dans le silicium monocristallin et polycristallin à petits grains (diamètre voisin de 10 µm) a été étudiée dans le domaine de température 1100-1400°C. Les échantillons subissent une implantation d'aluminium, un recuit laser semi-continu en phase solide, puis une analyse au microanalyseur ionique. Utilisant un modèle thermique dérivé de celui de GOLD et GIBBONS, on retrouve pour les monocristaux entre 1400°C et 1200°C le coefficient de diffusion D_v généralement admis, d'énergie d'activation 3,4 eV ; dans les polycristaux apparaît au-dessous de 1300°C une diffusion intergranulaire D_j, d'énergie d'activation beaucoup plus faible.

Abstract
The atomic diffusion of aluminum in single crystal or fine-grain polycristalline Si has been studied in the temperature range 1100-1400°C. The samples are Al-implanted, then annealed (in solid phase) by semi-continuous laser annealing and finally analysed using an ion-analyser. Using a thermal model derived from that of GOLD and GIBBONS, we find for single crystals, in the range 1200°C-1400°C, the generally admitted diffusion coefficient D_v, with an activation energy 3.4 eV ; in polycrystals below 1300°C appears the contribution of intergranular diffusion D_j, with a much lower activation energy.