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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
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| Page(s) | C5-223 - C5-227 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983535 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-223-C5-227
DOI: 10.1051/jphyscol:1983535
THE ANNEALING BEHAVIOUR OF HIGH DOSE As+ IMPLANTS
D.G. Hasko, R.A. McMahon et H. AhmedEngineering Department, Cambridge University, Trumpington Street, Cambridge CB2 1PZ, U.K.
Résumé
Le recuit de doses aussi importantes que 4.1016 ions/cm2, implantées à l'aide de courants allant jusqu'à 10mA, est décrit. Les différences entre le recuit isothermique rapide et le recuit au four, introduites sur la mesure de la résistance des feuilles, sont dues aux quantités différentes de diffusion et à la diminution d'arsenic du fait de l'évaporation. La qualité du matériau n'est pas affectée par l'intensité des forts cornants (10mA) utilisés tant que l'élévation de la température, pendant l'implantation, reste faible.
Abstract
The annealing behaviour of doses up to 4.1016 ions/cm2 implanted at ion currents up to 10mA is described. Differences between rapid isothermal and furnace annealing in the measured sheet resistances are due to different amounts of diffusion and to loss of dopant by evaporation. Implantation at high currents (10mA) does not appear to affect the quality of the regrown material provided the temperature rise during implantation is small.