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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
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| Page(s) | C5-139 - C5-142 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983523 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-139-C5-142
DOI: 10.1051/jphyscol:1983523
MASKLESS MICRO ETCHING OF GaAs DIRECTLY CONTROLLED BY CALCULATOR
S. Mottet et L. HenryC.N.E.T. Lannion B, Division ICM/TOH, BP 40, 22301 Lannion Cedex, France
Résumé
La gravure contrôlée des composés III-V est une étape importante pour la fabrication de composants et de circuits intégrés. Pour cela nous avons développé un système qui permet d'obtenir un spot lumineux de 1 micron de diamètre. Le déplacement du spot sur l'échantillon et la vitesse sont pilotés par un calculateur pour toute figure à réaliser. Le spot lumineux est utilisé pour graver par voie photochimique du GaAs immergé dans des solutions aqueuses.
Abstract
Controlled etching of III-V compound semiconductors is an important step for the fabrication of discrete and integrated components. For this we developped a system which permits to obtain a 1 micron diameter light spot. Displacement of the spot on the sample and speed are controlled by a computer for any desired figure. The light spot is used to etch photochemically GaAs immersed in aqueous solutions.